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6kW 紧凑设计，适合科研与小尺寸生长

高精度温度控制，生长稳定

PLC自动控制系统，操作简便

MKS 10kW 微波电源，稳定高效

高精度电机升降控温（±5℃）

西门子1500 PLC + 13.6寸触控屏

15kW 国产微波电源，高性价比

高精度电机升降控温（±5℃）

西门子1500 G2 PLC + 13寸触控屏

915MHz 100kW 大功率微波电源

支持8英寸以上大尺寸生长台

高效水冷散热，支持高功率连续运行

采用MFC气体盘MPCVD设备生产，工艺稳定性高，批次一致性可靠。

产品净度高、杂质少，满足高端珠宝与精密工业应用需求。

晶体生长可控性强，尺寸与品质可按需定制。

掀盖式铝制碟形腔设计，上掀盖易于清洗及快速二次生长

历经上百台设备量产验证与迭代升级，成熟可靠

等离子体远离石英窗口，整体密封性好，漏率超低

掀盖式铝制碟形腔结构，可选不锈钢腔体，成熟量产设计

支持 4–4.72 英寸（100–120mm）大尺寸生长台，适配多片同时生长

标配 4 个侧观察窗、4 个蓝宝石斜观察窗及 1 个蓝宝石顶窗，生长全程可视

模块化滤芯设计：快速更换免停机，有效缩短维护时间

大容量长寿命：高纳污量，减少更换频次，适配连续化高负荷运行

耐压密封结构：兼容多种流体体系，适配严苛工况

碟形腔自研技术平台，历经上百台设备量产验证与迭代升级

手动开盖（上掀盖）设计，易于清洗、快速二次生长

等离子体远离石英窗口，整体密封性好、漏率超低

全金属密封结构配合高洁净流道设计，有效降低颗粒析出与气体吸附，满足严苛洁净工况要求。

高精度闭环控制实现宽量程精准稳压，压力波动极小，保障工艺过程稳定可靠。

多级排气与自动切换机制，灵活适配抽真空、吹扫及废气排放等多种工艺场景。

高速闭环控制：实时匹配设定值与实际过程值，正比例阀宽动态范围精准控制

双控制模式：0~10V DC 模拟量输入与 Modbus RTU 数字设定自由切换

10kHz 高频 PWM 驱动输出，占空比 0~100% 线性可调

采用标准培育钻石毛坯颜色分级体系，确保检测结果具备行业通用性与可比性。

集成高精度光学传感与智能算法，自动判定毛坯颜色等级，消除人工主观误差。

适用于批量培育钻石毛坯的快速品质检测，显著提升分选效率与一致性。

Diamondcut-532-20-8激光器，波长532nm，最大功率20W@8k，专为大功率金刚石切割设计

XYZ轴精度达1μm，满足超高精度切割需求，适用于规模化生产场景

高精度定位系统与自动对焦系统，确保切割质量稳定一致

◆ 高纯度 IIa 型晶体 — 氮杂质 < 10 ppm，可降至 ppb 级，无金属触媒残留，晶体纯净度行业领先

◆ 卓越晶体质量 — 位错密度 < 10³ /cm²，XRD 摇摆曲线半高宽 < 50 arcsec，晶格高度完整

◆ 大尺寸单晶能力 — 板状尺寸最大 60 × 60 mm，厚度 0.3 – 3.0 mm 可控，可生长更大尺寸满足定制

同源真钻：宝石仪器鉴定表现与天然钻石一致，具备钻石火彩与闪光效果。

伦理可持续：无矿采冲突，低环境损耗，绿色培育。

高性价比：同等 4C 品质，价格远低于天然钻石。

超高热导率：1000–2200 W/(m·K)，约为铜的 5 倍、银的 3 倍，可高效导出高功率电子器件热量，显著降低结温

低热膨胀系数：约 1.0×10⁻⁶/°C，与 GaN、SiC 等半导体材料热膨胀匹配良好，有效降低热应力与器件失效风险

优异电绝缘性：电阻率 >10¹³ Ω·cm，介电常数低，散热同时实现电气隔离，适用于高功率电子器件

超高热导率：热导率覆盖 1000–1800 W/(m·K)，散热效率显著优于传统金属及陶瓷材料

高热稳定性：可在高温环境下长期保持优异的热管理性能

优异的电绝缘性：体积电阻率高达 2.95×10¹⁵ Ω·cm（25℃），绝缘耐压 11 KV/mm

超高热导率：1000–2200 W/(m·K)，远超铜与银，适用于高功率器件散热

高热稳定性：热膨胀系数低（约 1.0×10⁻⁶/°C），耐高温，与半导体材料匹配良好

优异电绝缘性：电阻率 >10¹³ Ω·cm，介电常数低，适用于高功率电子器件