Centre de produits

6kW 紧凑设计，适合科研与小尺寸生长

高精度温度控制，生长稳定

PLC自动控制系统，操作简便

Alimentation micro-ondes MKS 10 kW, stable et efficace

Contrôle de température par élévation/abaissement à moteur de haute précision (±5 °C)

Automate Siemens 1500 + écran tactile 13,6 pouces

Alimentation micro-ondes domestique de 15 kW, rapport qualité-prix élevé

Contrôle de température par élévation/abaissement à moteur de haute précision (±5 °C)

Automate Siemens 1500 G2 + écran tactile 13 pouces

Alimentation micro-ondes haute puissance 915 MHz 100 kW

Prend en charge les plateformes de croissance de grande taille de plus de 8 pouces

Refroidissement liquide haute efficacité, prenant en charge un fonctionnement continu à haute puissance

Produit à l'aide d'un équipement MPCVD à disque de gaz MFC, avec une stabilité de processus élevée et une cohérence de lot fiable.

Le produit présente un haut degré de pureté et contient peu d'impuretés, répondant aux exigences des applications haut de gamme en joaillerie et dans l'industrie de précision.

La croissance cristalline est hautement contrôlable, et la taille ainsi que la qualité peuvent être personnalisées selon les besoins.

Conception en forme de disque en aluminium à couvercle rabattable, le couvercle relevable facilite le nettoyage et permet une reprise rapide de la croissance secondaire.

Après validation et amélioration itérative sur des centaines d'équipements en production de masse, mature et fiable

Le plasma est éloigné de la fenêtre en quartz, l'étanchéité globale est bonne, le taux de fuite est extrêmement faible.

Structure en forme de disque en aluminium à couvercle rabattable, corps de chambre en acier inoxydable en option, conception éprouvée pour la production de masse

Compatible avec des plateformes de croissance de grande taille de 4–4,72 pouces (100–120 mm), permettant la croissance simultanée de plusieurs plaquettes

Équipé en standard de 4 hublots d'observation latéraux, 4 hublots d'observation inclinés en saphir et 1 hublot supérieur en saphir, permettant une visualisation complète du processus de croissance

Conception modulaire de la cartouche filtrante : remplacement rapide sans arrêt de la production, réduction efficace du temps de maintenance

Grande capacité et longue durée de vie : capacité de rétention élevée, réduction de la fréquence de remplacement, adapté à un fonctionnement continu et à forte charge

Structure d'étanchéité résistante à la pression : compatible avec divers systèmes de fluides, adaptée aux conditions de travail sévères

Plateforme technologique auto-développée à cavité en forme de disque, validée et optimisée par la production en série de plus de cent équipements

Conception à ouverture manuelle (couvercle rabattable vers le haut), facile à nettoyer et permettant une repousse rapide.

Le plasma est éloigné de la fenêtre en quartz, l'étanchéité globale est bonne et le taux de fuite est extrêmement faible.

La structure d'étanchéité entièrement métallique associée à une conception de canal à haute propreté réduit efficacement la libération de particules et l'adsorption de gaz, répondant aux exigences strictes des conditions de travail ultra-propres.

Contrôle en boucle fermée de haute précision pour une régulation de pression précise sur une large plage, avec des fluctuations de pression extrêmement faibles, garantissant un processus stable et fiable.

Mécanisme d'échappement à plusieurs niveaux et de commutation automatique, s'adaptant flexiblement à diverses scènes de procédé telles que la mise sous vide, la purge et l'évacuation des gaz d'échappement.

Contrôle en boucle fermée à grande vitesse : correspondance en temps réel entre la valeur de consigne et la valeur réelle du processus, contrôle précis de la vanne proportionnelle à large plage dynamique

Double mode de contrôle : commutation libre entre l'entrée analogique 0~10V DC et la configuration numérique Modbus RTU

Sortie de commande PWM haute fréquence à 10 kHz, rapport cyclique réglable linéairement de 0 à 100 %

Utiliser le système standard de classification des couleurs des ébauches de diamants de laboratoire, afin de garantir que les résultats de détection soient universels et comparables dans l'industrie.

Intégration de capteurs optiques de haute précision et d'algorithmes intelligents pour déterminer automatiquement le grade de couleur des ébauches, éliminant ainsi les erreurs subjectives humaines.

Adapté au contrôle rapide de la qualité des ébauches de diamants cultivés en lot, améliorant considérablement l'efficacité et la cohérence du tri.

Laser Diamondcut-532-20-8, longueur d'onde 532 nm, puissance maximale 20 W à 8 k, spécialement conçu pour la découpe de diamants à haute puissance

Précision des axes XYZ atteignant 1 μm, répondant aux besoins de découpe ultra-précise, adapté aux scénarios de production à grande échelle

Système de positionnement de haute précision et système de mise au point automatique, garantissant une qualité de coupe stable et constante

◆ Cristaux de type IIa de haute pureté — impuretés d'azote < 10 ppm, pouvant être réduites au niveau ppb, sans résidus de catalyseur métallique, pureté cristalline leader du secteur

◆ Qualité cristalline exceptionnelle — densité de dislocations < 10³ /cm², largeur à mi-hauteur de la courbe de rocking XRD < 50 arcsec, réseau cristallin hautement intact

◆ Capacité de monocristaux de grande taille — dimensions maximales des plaques 60 × 60 mm, épaisseur contrôlable de 0,3 à 3,0 mm, possibilité de croissance de tailles plus grandes pour répondre aux besoins personnalisés

Diamant véritable de même origine : les performances de l'instrument d'identification gemmologique sont identiques à celles du diamant naturel, avec le feu et le scintillement du diamant.

Durabilité éthique : absence de conflits miniers, faible impact environnemental, culture écologique.

Rapport qualité-prix élevé : qualité 4C équivalente, prix bien inférieur à celui du diamant naturel.

Conductivité thermique ultra-élevée : 1000–2200 W/(m·K), soit environ 5 fois celle du cuivre et 3 fois celle de l'argent, permettant d'évacuer efficacement la chaleur des dispositifs électroniques de forte puissance et de réduire significativement la température de jonction

Faible coefficient de dilatation thermique : environ 1,0×10⁻⁶/°C, bonne correspondance avec la dilatation thermique des matériaux semi-conducteurs tels que le GaN et le SiC, réduisant efficacement les contraintes thermiques et les risques de défaillance des dispositifs

Excellente isolation électrique : résistivité > 10¹³ Ω·cm, faible constante diélectrique, dissipation thermique tout en assurant l'isolation électrique, adapté aux dispositifs électroniques de forte puissance

Conductivité thermique ultra-élevée : la conductivité thermique couvre 1000–1800 W/(m·K), l'efficacité de dissipation thermique est nettement supérieure à celle des matériaux métalliques et céramiques traditionnels

Haute stabilité thermique : peut maintenir d'excellentes performances de gestion thermique à long terme dans des environnements à haute température

Excellente isolation électrique : résistivité volumique jusqu'à 2,95×10¹⁵ Ω·cm (25 °C), rigidité diélectrique 11 kV/mm

Conductivité thermique ultra-élevée : 1000–2200 W/(m·K), bien supérieure à celle du cuivre et de l'argent, adaptée à la dissipation thermique des dispositifs à haute puissance

Haute stabilité thermique : faible coefficient de dilatation thermique (environ 1,0×10⁻⁶/°C), résistance aux hautes températures, bonne compatibilité avec les matériaux semi-conducteurs

Excellente isolation électrique : résistivité > 10¹³ Ω·cm, faible constante diélectrique, adapté aux dispositifs électroniques de haute puissance