プロダクトセンター

6kW 紧凑设计，适合科研与小尺寸生长

高精度温度控制，生长稳定

PLC自动控制系统，操作简便

MKS 10kW マイクロ波電源、安定かつ高効率

高精度モーター昇降温度制御（±5℃）

シーメンス1500 PLC + 13.6インチタッチスクリーン

15kW 国産マイクロ波電源、高コストパフォーマンス

高精度モーター昇降温度制御（±5℃）

シーメンス1500 G2 PLC + 13インチタッチスクリーン

915MHz 100kW 大電力マイクロ波電源

8インチ以上の大型サイズの成長台をサポート

高効率水冷放熱、高電力連続運転をサポート

MFCガスパネルMPCVD装置を採用した生産により、プロセスの安定性が高く、バッチ間の一致性が信頼できる。

製品の純度が高く、不純物が少ないため、高級ジュエリーや精密工業の用途に応えることができます。

結晶成長の制御性が高く、サイズと品質は必要に応じてカスタマイズ可能です。

跳ね上げ式アルミ製ディッシュ型チャンバー設計、上蓋は跳ね上げ式で洗浄が容易かつ迅速な二次成長が可能

100台以上のデバイスでの量産検証と反復改良を経て、成熟して信頼性が高い

プラズマは石英窓から離れており、全体的な密封性が良く、漏れ率は極めて低い

蓋開き式アルミ製皿型チャンバー構造、ステンレスチャンバーも選択可能、成熟した量産設計

4～4.72インチ（100～120mm）の大型成長台をサポートし、複数枚の同時成長に対応

標準装備として側面観察窓4個、サファイア斜め観察窓4個、サファイア上面窓1個を備え、成長過程を全行程可視化

モジュール式フィルター設計：迅速な交換で停止不要、メンテナンス時間を効果的に短縮

大容量長寿命：高い汚れ保持量、交換頻度を低減、連続高負荷運転に適合

耐圧密封構造：多様な流体システムに対応し、過酷な使用条件に適合

ディスク型キャビティ独自開発技術プラットフォームは、100台以上の装置での量産検証と反復アップグレードを経て

手動開蓋（上開き蓋）設計、洗浄が簡単、迅速な二次成長

プラズマは石英窓から離れており、全体的な密封性が良く、漏れ率が極めて低い

全金属シール構造と高クリーン流路設計により、粒子の析出とガス吸着を効果的に低減し、厳しいクリーン工况の要求を満たします。

高精度クローズドループ制御により、広いレンジで精密な定圧制御を実現し、圧力変動が極めて小さく、プロセスの安定性と信頼性を確保します。

多段排気と自動切替機構により、真空引き、パージ、排ガス排出など多様なプロセスシーンに柔軟に対応。

高速クローズドループ制御：設定値と実際のプロセス値をリアルタイムでマッチングし、比例弁の広いダイナミックレンジで精密に制御

デュアル制御モード：0～10V DCアナログ入力とModbus RTUデジタル設定を自由に切り替え

10kHz 高周波PWM駆動出力、デューティ比0～100%リニア調整可能

標準的なラボグロウンダイヤモンド原石のカラーダレード体系を採用し、検査結果が業界で通用し比較可能であることを確保する。

高精度光学センシングとインテリジェントアルゴリズムを統合し、素材の色等級を自動判定して、人為的な主観的誤差を排除します。

バッチで育成されたダイヤモンド原石の迅速な品質検査に適用され、選別効率と一貫性を大幅に向上させます。

Diamondcut-532-20-8レーザー、波長532nm、最大出力20W@8k、大出力ダイヤモンド切断専用設計

XYZ軸の精度は1μmに達し、超高精度の切断ニーズを満たし、規模化生産シーンに適しています。

高精度位置決めシステムとオートフォーカスシステムにより、安定した一貫性のある切断品質を確保します。

◆ 高純度IIa型結晶 — 窒素不純物 < 10 ppm、ppbレベルまで低減可能、金属触媒残留なし、業界トップクラスの結晶純度

◆ 卓越した結晶品質 — 転位密度 < 10³ /cm²、XRDロッキングカーブ半値幅 < 50 arcsec、格子の完全性が高い

◆ 大口径単結晶能力 — 板状サイズ最大60×60mm、厚さ0.3～3.0mmで制御可能、より大きなサイズの育成も可能でカスタマイズに対応

同源真鑽：宝石鑑定機器による鑑定結果は天然ダイヤモンドと一致し、ダイヤモンドのファイアーと輝きの効果を備えている。

倫理的な持続可能性：紛争鉱物の採掘なし、環境負荷低減、グリーン育成。

コストパフォーマンスが高い：同等の4C品質で、価格は天然ダイヤモンドよりはるかに安い。

超高热伝導率：1000～2200 W/(m·K)、銅の約5倍、銀の約3倍で、高電力電子デバイスの熱を効率的に放散し、ジャンクション温度を大幅に低減

低熱膨張係数：約1.0×10⁻⁶/°C、GaNやSiCなどの半導体材料と熱膨張が良好に整合し、熱応力とデバイス故障リスクを効果的に低減

優れた電気絶縁性：抵抗率 >10¹³ Ω·cm、誘電率が低く、放熱と同時に電気的絶縁を実現し、高功率電子デバイスに適している

超高熱伝導率：熱伝導率は1000～1800 W/(m·K)をカバーし、放熱効率は従来の金属およびセラミック材料よりも著しく優れている

高い熱安定性：高温環境下でも長期間、優れた熱管理性能を維持可能

優れた電気絶縁性：体積抵抗率は最大2.95×10¹⁵ Ω·cm（25℃）、絶縁耐圧11 KV/mm

超高熱伝導率：1000～2200 W/(m・K)、銅や銀をはるかに超え、高出力デバイスの放熱に適している

高い熱安定性：熱膨張係数が低く（約1.0×10⁻⁶/°C）、高温に耐え、半導体材料との整合性が良好

優れた電気絶縁性：抵抗率 >10¹³ Ω·cm、誘電率が低く、高電力電子デバイスに適している